مشخصات مقاله:
عنوان فارسی مقاله:
سیستم ثبت و استخراج نشانگر زیستی EEG قابل انعطاف مبتنی بر الکترونیک لایه-نازک
عنوان انگلیسی مقاله:
A Flexible EEG Acquisition and Biomarker Extraction System Based on Thin-Film Electronics
مناسب برای رشته های دانشگاهی زیر:
مهندسی برق و پزشکی
مناسب برای گرایش های دانشگاهی زیر:
بیوالکتریک، مدارهای مجتمع الکترونیک، مهندسی کنترل، ابزار دقیق
وضعیت مقاله انگلیسی و ترجمه:
مقاله انگلیسی را میتوانید به صورت رایگان با فرمت PDF از باکس زیر دانلود نمایید. ترجمه این مقاله با فرمت WORD – DOC آماده خریداری و دانلود آنی میباشد.
قسمتی از مقاله انگلیسی و ترجمه آن:
Previous instrumentation amplifiers using low-temperature-processed TFTs have focused on signals such as EMG [2], and do not achieve noise levels needed for EEG (which has significantly lower amplitude). Figure 16.4.2 shows the measured input-referred noise PSD of an a-Si amplifier, with biasing of 200μA. The band of interest for EEG (0-to-300Hz) is limited by 1/f noise, which can be high for lowtemperature-processed TFTs due to high carrier-trap density in the semiconductor and semiconductor-dielectric interface [3]. Typically, 1/f noise is reduced by increasing device W and L. Though effective for TFTs, this worsens reliability, as shown in Fig. 16.4.2. Pinholes (associated with low-temperature-deposited gate dielectrics) cause the increasing TFT defect rate shown with W and L, limiting the extent to which sizing can address 1/f noise.
تقویت کننده های ابزاردقیق قبلی با استفاده از TFT های ساخته‌شده دردمای پایین، بر روی سیگنالهایی مثل الکترومایوگرافی متمرکز شده اند و سطح نویز مورد نیاز برای سیگنال EEG (که دامنه بسیار پایین تری دارد) را به دست نمی آورند. شکل 16-4-2 نشان‌دهنده‌ی توزیع طیف توان نویزمنبع ورودی مربوط به یک تقویت‌کننده سیلیکون بی‌شکل میباشد که با جریان 200میکروآمپر بایاس شده است. پهنای باند مطلوب برای سیگنال EEG (0 تا300 هرتز) توسط نویز 1/f محدود شده است که این پهنای باند برای TFT های ساخته شده در دمای پایین، به دلیل چگالی بالای تله‌های حامل درنیمه‌هادی و مرز نیمه‌هادی-دی‌الکتریک، ممکن است زیاد باشد. معمولا، نویز 1/f با افزایش W و L ترانزیستور، کاهش می‌یابد. اگرچه این کار برای TFTها موثر است، اما همانطور که در شکل 16-4-2 نشان داده شده است، قابلیت اطمینان را بدتر می‌کند.