مشخصات مقاله:
عنوان فارسی مقاله:
تعویض کننده سطح ولتاژ آستانه کارآمد با استفاده از آینه جریان ویلسون اصلاح شده برای کاربردهایی با توان پایین
عنوان انگلیسی مقاله:
An Area Efficient Sub-threshold Voltage Level Shifter using a Modified Wilson Current Mirror for Low Power Applications
کلمات کلیدی مقاله:
آینه جریان، شبیه سازی CAD، تعویض کننده سطح (LS)، انرژی پایین، عملیات زیرآستانه، ترانزیستور معمول (TT)
مناسب برای رشته های دانشگاهی زیر:
مهندسی برق
مناسب برای گرایش های دانشگاهی زیر:
مهندسی الکترونیک، مدارهای مجتمع الکترونیک، سیستم های قدرت، مهندسی کنترل
وضعیت مقاله انگلیسی و ترجمه:
مقاله انگلیسی را میتوانید به صورت رایگان با فرمت PDF از باکس زیر دانلود نمایید. ترجمه این مقاله با فرمت WORD – DOC آماده خریداری و دانلود آنی میباشد.
فهرست مطالب:
چکیده
مقدمه
مطالعات قبلی
طرح LS پیشنهادی
تجزیه و تحلیل منطقی
ویژگی ها
نتایج شبیه سازی
تجزیه و تحلیل تاخیر
تجزیه و تحلیل انرژی در هر گذار
تجزیه و تحلیل قدرت
تجزیه و تحلیل قیاسی
نتیجه گیری
قسمتی از مقاله انگلیسی و ترجمه آن:
1. INTRODUCTION
With the increasing demand of portable devices in electronics, low power consumption has become the main design criterion for Very Large Scale Integrated (VLSI) circuits and systems. High complexity designs need to trade off between performance and power. In general, small area and high performance are two conflicting constraints [1]. Dynamic power consumption and static power consumption are noted in VLSI circuit. Dynamic power has two components i.e. switching power due to the charging and discharging of the load capacitance and the short circuit power due to the non-zero rise and fall time of the input waveforms [2]. The static power of Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) VLSI circuits is determined by the leakage current through each transistor. For a high complexity VLSI circuit the switching power dominates other types of power consumptions.
مقدمه
با افزایش تقاضا برای دستگاه های قابل حمل در الکترونیک، مصرف انرژی پایین به معیار اصلی طراحی برای مدارها و سیستم های بزرگ مقیاس یکپارچه ( VLSI) تبدیل شده است. طرح های پیچیده باید بین عملکرد و توان تبادل شوند. به طور کلی، مساحت کم و عملکرد بالا، دو محدودیت متناقض هستند. مصرف انرژی دینامیک و مصرف انرژی استاتیک، در مدار VLSI مورد توجه قرار گرفته اند. انرژی دینامیک دارای دو مولفه است، قدرت سوئیچینگ به دلیل شارژ و تخلیه ظرفیت بار و قدرت مدار کوتاه به دلیل افزایش غیر صفر و زمان سقوط شکل موج ورودی. قدرت استاتیک مدار VLSI نیمه هادی اکسید فلزی مکمل (CMOS) بر اساس جریان نشت از طریق هر ترانزیستور تعیین می شود. برای یک مدار VLSI با پیچیدگی بالا، قدرت سوئیچینگ، انواع دیگر مصرف انرژی را تعیین می کند.