مشخصات مقاله:
عنوان فارسی مقاله:
تحلیل، طراحی و ارزیابی عملکرد تبدیل گر نیمه اتصال گر نامتقارن وارونه برای فناوری های دامنه ولتاژ خط جهانی
عنوان انگلیسی مقاله:
Analysis, Design, and Performance Evaluation of Asymmetrical Half-Bridge Flyback Converter for Universal-Line-Voltage-Range Applications
مناسب برای رشته های دانشگاهی زیر:
مهندسی برق
مناسب برای گرایش های دانشگاهی زیر:
مهندسی الکترونیک و مدارهای مجتمع الکترونیک
وضعیت مقاله انگلیسی و ترجمه:
مقاله انگلیسی را میتوانید به صورت رایگان با فرمت PDF از باکس زیر دانلود نمایید. ترجمه این مقاله با فرمت WORD – DOC آماده خریداری و دانلود آنی میباشد.
فهرست مطالب:
چکیده
مقدمه
تحلیل عملیات
طراحی و اجرا
تحلیل اتلاف
نتایج آزمایش
خلاصه
قسمتی از مقاله انگلیسی و ترجمه آن:
I. INTRODUCTION
The increasing demand for size reduction of today’s external power supplies such as adapters/chargers for laptops, tablets, mobile devices, game consoles, printers, etc., has continued to drive substantial development and research efforts in highefficiency and high-power-density power conversion. As the silicon-based devices approach their theoretical performance limit, their ability to improve the performance of the next generation of power supplies is diminished. The emerging wide-band-gap devices, such as GaN-based devices, will inevitably bring about future significant incremental efficiency improvements. Generally, GaN MOSFETs have considerably lower gate charge and lower output capacitance than Si MOSFETs and, therefore, they have a good potential for operation at higher switching frequencies and, consequently, for size reduction of the power supplies [1]-[4].
1-مقدمه
تقاضای روزافزون برای کاهش اندازه ابزارهای تامین نیرو خارجی فعلی از جمله آداپتور/شارژر برای لپ تاپ ها، تبلت ها، ابزارهای موبایل و بازی، چاپگر و غیره منجر به توسعه عمده و تلاش های تحقیقاتی در تبدیل نیرو کارایی بالا و تراکم نیرو زیاد گردیده است. همانطور که ابزارهای سیلکن محور به آستانه عملکرد نظری خود می رسند، توانایی آنها در بهبود عملکرد نسل بعدی ابزارهای تامین نیرو کاهش می یابد. ابزارهای نوپدید خلا پهنای باند، از جمله ابزارهای جی.ای.ان به طور حتمی بهبود کارایی فزاینده و عمده در آینده پدید می آورند. در کل، جی ای ان ام.اُ.اس.اف.ایی.تی دارای شارژ درگاه پایین تر بوده و ظرفیت خروجی کمتری نسبت به سیلکن ام.اُ.اس.اف.ایی.تی بوده و لذا آنها پتانسیل خوبی برا عملیات در فرکانس تغییر حالت بالاتر داشته و در نتیجه برای کاهش اندازه ابزارهای تامین نیرو مناسب اند.