مشخصات مقاله:
عنوان فارسی مقاله:
طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی برای یک مدار ادغام یافته مقاوم به تابش
عنوان انگلیسی مقاله:
Dummy Gate-Assisted n-MOSFET Layout for a Radiation-Tolerant Integrated Circuit
کلمات کلیدی مقاله:
طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی، اصلاح طرح، سخت شدن تابش، جریان نشتی ناشی از تابش، دوز یونیزه کلی
مناسب برای رشته های دانشگاهی زیر:
مهندسی برق
مناسب برای گرایش های دانشگاهی زیر:
مهندسی الکترونیک، مدارهای مجتمع الکترونیک و الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی
وضعیت مقاله انگلیسی و ترجمه:
مقاله انگلیسی را میتوانید به صورت رایگان با فرمت PDF از باکس زیر دانلود نمایید. ترجمه این مقاله با فرمت WORD – DOC آماده خریداری و دانلود آنی میباشد.
فهرست مطالب:
چکیده
1. مقدمه
2. ساختار N-MOSFET DGA ارائه شده
الف. شرح طرح
ب. ملاحظات طراحی طرح
ج. مشخصات ساختاری
د. سازگاری طرح
3. نتایج شبیه سازی
الف. ساختار با n-MOSFET معمولی
ب. ساختار n-MOSFET DGA ارائه شده
4. نتایج تجربی
5. نتیجه گیری
قسمتی از مقاله انگلیسی و ترجمه آن:
I. INTRODUCTION
SPACE applications such as space shuttles and satellites require radiation-tolerant application-specific integrated circuits. Outer space contains numerous radiation sources, including the Van Allen belt, solar flares, and cosmic rays [1]. When complementary metal oxide semiconductor (CMOS) integrated circuits are operated in a high radiation environment such as outer space, they are subjected to numerous types of anomalies [2], [3]. In severe cases, these radiation-induced anomalies can cause a system to lose all functionality [4], [5]. Among these radiation-induced anomalies, the total ionizing dose effect, which corresponds to long-term accumulated radiation damage, generally worsens the performance of CMOS integrated circuits by altering the characteristics of the n-type metal oxide semiconductor field effect transistors (n-MOSFETs) contained in the circuits [6]. Therefore, CMOS integrated circuits used in space for long-term missions should have radiation-tolerant n-MOSFETs in order to mitigate or eliminate the total ionizing dose effects.
1. مقدمه
کاربردهای فضایی همچون شاتل های فضایی و ماهواره ها نیازمند به مدارهای ادغام یافته ی کاربرد مخصوص مقاوم به تابش هستند. فضای بیرونی شامل منابع متعدد تابش، از جمله کمربند تشعشعی وان آلن، شعله های خورشیدی، و پرتوهای کیهانی است [1]. زمانی که مدارهای ادغام یافته ی (CMOS) نیمه هادی اکسید فلزی مکملانه در محیط تابش بالایی مانند فضای بیرونی فعالیت می کنند، آنها در معرض انواع متعددی از ناهنجاری ها هستند [2]، [3]. در موارد شدید، این ناهنجاری های ناشی از تابش می تواند موجب تلفات در تمامی عملکردها شود [4]، [5].
در میان این ناهنجاری های ناشی از تابش، اثر دوز یونیزه کلی، که مربوط به خسارت تابش متراکم شده ی بلند مدت است، بطور کلی موجب بدتر شدن عملکرد مدارهای ادغام یافته CMOS با تغییر مشخصات (MOFSETهای – n) ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلزی نوع – n موجود در مدارها می شود [6]. بنابراین، مدارهای ادغام یافته ی CMOS استفاده شده در فضا برای ماموریت های بلند مدت باید دارای MOFSETهای – n مقاوم به تابش جهت کاهش یا حذف تاثیرات کلی دوز یونیزه باشند.