مشخصات مقاله:
عنوان فارسی مقاله:
تاثیر شرایط رسوب روی نانوخوشه های سیلیکون در فیلم های نیترید سیلیکون رشد یافته با استفاده از روش CVD به کمک لیزر
عنوان انگلیسی مقاله:
Influence of Deposition Conditions on Silicon Nanoclusters in Silicon Nitride Films Grown by Laser-Assisted CVD Method
کلمات کلیدی مقاله:
سیستم CVD به کمک لیزر (LACVD)، فوتولومینسانس (PL)، اثر حبس کوانتومی، نانوخوشه های Si، ماتریس نیترید سیلیکون
مناسب برای رشته های دانشگاهی زیر:
مهندسی برق و فیزیک
مناسب برای گرایش های دانشگاهی زیر:
مهندسی الکترونیک، افزاره های میکرو و نانو الکترونیک، نانو فیزیک، فیزیک کاربردی و اپتوالکترونیک
وضعیت مقاله انگلیسی و ترجمه:
مقاله انگلیسی را میتوانید به صورت رایگان با فرمت PDF از باکس زیر دانلود نمایید. ترجمه این مقاله با فرمت WORD – DOC آماده خریداری و دانلود آنی میباشد.
فهرست مطالب:
چکیده
1. مقدمه
2. رویه تجربی
3. نتایج و بحث های تجربی
4. نتیجه گیری
قسمتی از مقاله انگلیسی و ترجمه آن:
I. INTRODUCTION
THE DISCOVERY of bright visible emission from porous silicon [1] greatly stimulates the investigation on silicon nanostructure systems due to their potential applications for silicon-based LEDs and optoelectronic ICs (OEIC). In recent years, various silicon nanostructure systems such as porous silicon [2] and silicon nanostructure embedded in silicon oxide matrix [3], [4] and in silicon nitride matrix [5], [6] have been studied. Among the aforementioned systems, siliconnanocluster-embedded silicon nitride film attracts more attention, recently. It is mainly due to the fact that the silicon nitride, in comparison with silicon oxide, has narrower bandgap, which would benefit the injection of the carriers into silicon nanoclusters embedded in the film as active layer of LEDs. Various methods for depositing silicon-nanocluster-embedded films have been studied. However, in all the cases, a high-temperature process is used for forming silicon nanoclusters, which evidently would degrade the performances of some other devices that have been integrated on the same chip. In the previous paper [7], we have reported that silicon-nanocluster-embedded silicon nitride films can be deposited at low temperature using a laser-assisted CVD (LACVD) method. This low-temperature method avoids the disadvantage of the high-temperature processes in the usual methods, and hence, is compatible with the current electronic and optoelectronic integration technology.
1. مقدمه
کشف انتشار قابل مشاهده روشن از سیلیکون متخلخل [1] تا حد زیادی موجب بررسی سیستم های نانو ساختار سیلیکون شده است که دلیل این کار، کاربردهای بالقوه آنها برای LEDهای مبتنی بر سیلیکون و IC های الکترونیکی (OEIC) است. در سال های اخیر، سیستم های نانوساختار سیلیکون مختلف مانند سیلیکون متخلخل [2] و نانوساختار سیلیکون جاسازی شده در ماتریس اکسید سیلیکون [3]، [4] و در ماتریس نیترید سیلیکون [5]، [6] مطالعه شده اند. در میان سیستم های فوق الذکر، فیلم نیترید سیلیکون نانوخوشه-جاسازی شده سیلیکونی به تازگی بیشتر جلب توجه نموده است. این عمدتا ناشی از این واقعیت است که نیترید سیلیکون، در مقایسه با اکسید سیلیکون، دارای باند گپ باریکتر است که از تزریق حامل ها به نانوخوشه های سیلیکون جاسازی شده در فیلم به عنوان لایه فعال LEDها بهره مند می شود. روش های مختلف برای رسوب فیلم های سیلیکونی نانوخوشه-جاسازی شده مورد مطالعه قرار گرفته اند. با این حال، در تمام موارد، یک فرایند با دمای بالا برای تشکیل نانوخوشه های سیلیکون استفاده می شود که آشکارا عملکرد برخی از دستگاه های دیگر که بر روی یک تراشه یکپارچه شده است تنزل می یابد. در مقاله قبلی [7]، ما گزارش نموده ایم که فیلم های نیترید سیلیکون نانوخوشه-جاسازی شده سیلیکونی را می توان در دمای پایین با استفاده از یک روش به کمک لیزر CVD (LACVD) رسوب داد. این روش دمای پایین از عیب فرآیندها در دمای بالا در روش های معمول جلوگیری می کند و از این رو، با تکنولوژی فعلی یکپارچه سازی الکترونیکی و اپتو-الکترونیکی سازگار است.