مقاله ترجمه شده درباره توصیف دینامیک فاصله کوچک ( تله) رابط در ترانزیستور های آلی نازک لایه – سال 2015
مشخصات مقاله:
عنوان فارسی مقاله:
توصیف دینامیک فاصله کوچک ( تله) رابط در ترانزیستور های آلی نازک لایه، به عنوان مسئول ایجاد هیسترزیس
عنوان انگلیسی مقاله:
Characterization of interface trap dynamics responsible for hysteresis in organic thin-film transistors
کلمات کلیدی مقاله:
ترانزیستورهای فیلم نازک آلی، هیسترزیس، دامنه رابط، مشخصه
مناسب برای رشته های دانشگاهی زیر:
مهندسی برق
مناسب برای گرایش های دانشگاهی زیر:
الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی، مهندسی الکترونیک و برق قدرت
وضعیت مقاله انگلیسی و ترجمه:
مقاله انگلیسی را میتوانید به صورت رایگان با فرمت PDF از باکس زیر دانلود نمایید. ترجمه این مقاله با فرمت WORD – DOC آماده خریداری و دانلود آنی میباشد.
فهرست مطالب:
چکیده
1.مقدمه
2. ساختار دستگاه و اندازه گیری های جامع گیت به صورت دو سویه
3. تعیین نرخ حبس بار
4. تعیین نرخ آزاد سازی بار
5. نتایج
قسمتی از مقاله انگلیسی و ترجمه آن:
Abstract
In this paper, the current hysteresis of organic thin film transistors (OTFTs) formed by TIPS-Pentacene has been demonstrated by bi-directional gate-voltage scan and explained using the trapping and detrapping mechanism. The trapping and detrapping rates have been further verified by the gate-voltage sampling method and the channel charge pumping method. The validity of the methods to characterize interface states of OTFTs that lead to the hysteresis is justified. The two independent methods consistently reveal that the hole trapping and release rates at the interface between the channel of the OTFTs to the gate dielectric are asymmetric.
چکیده
در این مقاله ، هیسترزیس جریانی ترانزیستور های آلی نازک لایه ( OTFT ) ساخته شده با TIPS-Pentacene ، با استفاده از پویش های دو طرفه ولتاژ گیت نشان داده شده و با استفاده از روش های تله گذاری و یا رها سازی الکترون ها ، توضیح داده شده است. نرخ حبس و یا رها سازی نیز توسط نمونه گیری ولتاژ گیت و روش پمپ بار کانال ، تایید شده است. اعتبار روش ها برای توصیف وضعیت های سطح واسط OTFT ها که موجب هیسترزیس میشود نیز مورد بررسی قرار گرفته است. دو روش مستقل نیز بدون تناقض تایید میکنند که تله گذاری حفره ها و نرخ آزاد سازی در سطح رابط بین کانال OTFT به دی الکتریک گیت ، نا متقارن است.
