ترجمه مقاله مدولاسیون حامل محور با تزریق ولتاژ صفر برنامه ریزی شده برای کنترل ولتاژ – سال 2020
مشخصات مقاله:
عنوان فارسی مقاله:
مدولاسیون حامل محور با تزریق ولتاژ صفر برنامه ریزی شده برای کنترل ولتاژ نقطه خنثی برای مبدل سه سطحی
عنوان انگلیسی مقاله:
A Carrier-Based Modulation With Planned Zero Sequence Voltage Injection to Control Neutral Point Voltage for Three-Level Inverter
کلمات کلیدی مقاله:
استراتژی مدولاسیون، نوسان ولتاژ نقطه خنثی، مبدل سه سطحی نوع T، تزریق ولتاژ توالی صفر
مناسب برای رشته های دانشگاهی زیر:
مهندسی برق
مناسب برای گرایش های دانشگاهی زیر:
مهندسی الکترونیک، مهندسی کنترل، مدارهای مجتمع الکترونیک، سیستم های قدرت
وضعیت مقاله انگلیسی و ترجمه:
مقاله انگلیسی را میتوانید به صورت رایگان با فرمت PDF از باکس زیر دانلود نمایید. ترجمه این مقاله با فرمت WORD – DOC آماده خریداری و دانلود آنی میباشد.
فهرست مطالب:
چکیده
1. مقدمه
II. تحلیل مبدل های سه سطحی نوع T
A. TLI نوع T و جریان NP آن
B. اختلاف در جریان NP با UZSV
C. شرایط لازم برای نگه داشتن بدون تغییر ولتاژ NP در یک چرخه کلید زنی
D. شرایط لازم برای حفظ ولتاژ NP بدون تغییر در یک چرخه اساسی
III. روش کنترل ولتاژ NP بر اساس تزریق ZVS برنامه ریزی شده
A. روش تزریق برنامه ریزی شده ZSV
B. روش حالت نزدیکترین گره
IV. نتایج تجربی
A.آزمایش وضعیت ثابت
B. عملکرد حالت دینامیک
V. نتیجه گیری
قسمتی از مقاله انگلیسی و ترجمه آن:
Abstrac
In this paper, a carrier-based modulation strategy with planned zero sequence voltage (ZSV) injection for T-type three-level inverter (TLI) is proposed to control neutral point (NP) voltage, which is simple to be implemented. This strategy is analyzed comprehensively based on the relationship between NP current and the injected ZSV in one switching cycle. The planned ZSV is calculated according to the voltage difference between upper and lower capacitors and the injectable ZSV range without over-modulation. Furthermore, in order to reduce switching losses, the closest clamping mode method is applied, in which specific ZSV is injected to form discontinuous pulse width modulation (DPWM), and the NP voltage control ability is sacrificed to some extent. In most applications of the two proposed methods, the NP voltage can be perfectly controlled almost like virtual space vector PWM (VSVPWM). However, the switching numbers of the strategy with planned ZSV injection are a third even half less than that of VSVPWM. And the switching numbers of the closest clamping mode method are even a third less than that of SVPWM. Comprehensive experiments are carried out to verify the feasibility of the proposed two methods.
چکیده
در این تحقیق، یک استراتژی مدولاسیون حامل محور با ولتاژ تزریق توالی صفر برنامه ریزی شده (ZSV) برای مبدل سه سطحی نوع T(TLI) برای کنترل ولتاژ نقطه خنثی (NP) معرفی شده است که دارای کاربرد ساده است. این استراتژی به صورت جامع بر اساس رابطه بین جریان NP و ZSV تزریق شده در یک چرخه کلید زنی مورد تحلیل قرار گرفته است.ZSV برنامه ریزی شده با توجه به اختلاف ولتاژ بین خازن بالا و پایین و دامنه ZSV قابل تزریق بدون مدولاسیون مازاد محاسبه می شود. به علاوه، برای کاهش افت کلید زنی، نزدیکترین حالت گیره اعمال می شود که در آن ZSV ویژه برای شکل دادن مدولاسیون عرض پالس های غیر پیوسته (DPWM) تزریق می شود و توانایی کنترل ولتاژ NP تا حدودی تعدیل می شود. در بسیاری از کاربردهای روشهای معرفی شده، ولتاژ NP می تواند به خوبی همانند بردار فضای مجازی PWM(VSVPWM) کنترل شود. به هر حال، تعداد کلید زنی ها در استراتژی با تزریق برنامه ریزی شده ZSV یک سوم و حتی یک دوم کمتر از VSVPWM هستند. و دفعات کلید زنی در روش حالت نزدیک ترین گیره حتی یک سوم SVPWM می باشد. آزمایشات جامع برای تائید کارایی دو روش معرفی شده انجام شد.
