مقاله ترجمه شده درباره طراحی و توسعه مبدل DC-DC افزاینده تک سوئیچی – سال 2017
مشخصات مقاله:
عنوان فارسی مقاله:
طراحی و توسعه مبدل DC-DC افزاینده تک سوئیچی
عنوان انگلیسی مقاله:
Design and Development of Single Switch High Step-Up DC-DC Converter
کلمات کلیدی مقاله:
مبدل توان DC-DC، بهره ولتاژ بالا، استرس ولتاژ پایین، تک سوئیچی
مناسب برای رشته های دانشگاهی زیر:
مهندسی برق
مناسب برای گرایش های دانشگاهی زیر:
مهندسی الکترونیک، برق قدرت، سیستم های قدرت و الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی
وضعیت مقاله انگلیسی و ترجمه:
مقاله انگلیسی را میتوانید به صورت رایگان با فرمت PDF از باکس زیر دانلود نمایید. ترجمه این مقاله با فرمت WORD – DOC آماده خریداری و دانلود آنی میباشد.
فهرست مطالب:
چکیده
1.مقدمه
2. اصول عملیاتی مبدل پیشنهادی
الف. عملکرد حالت هدایت پیوسته
ب. کارکرد حالت هدایت ناپیوسته
3. تحلیل عملکرد مبدل پیشنهادی
4. مراحل طراحی مبدل پیشنهادی
الف. سلف های L1 و L2
ب. خازن های C1، C2 و C3
ج. ولتاژ سوئیچ توان
ج. ولتاژ سوئیچ توان
د. خازن خروجی CO
5. نتایج آزمایشگاهی
6. نتیجه گیری
قسمتی از مقاله انگلیسی و ترجمه آن:
II. OPERATIONAL PRINCIPLE OF PROPOSED CONVERTER The circuit topology of proposed converter is shown in Fig. 2. It consists of dc voltage source Vin, main switch S, three diodes D1, D2, and D3, three capacitors C1, C2, and C3, two inductors L1and L2, output diode DO, and capacitor output CO. To increase the static voltage gain, diode-capacitor based SEPIC converter is proposed with the combination of boost converter. The diode-capacitor elements reduce stress on the switch. The capacitor C2 is charged with the output voltage of conventional boost converter. The voltage from capacitor C2 is applied to the inductor L2 during conduction period of power switch S which increases the voltage static gain, when compare to conventional SEPIC. In order to simplify the circuit analysis, following assumptions were considered; 1) Semiconductor switch and diodes are ideal; 2) Switching frequency is constant; 3) All capacitors are designed for less voltage ripple at the switching frequency;
2. اصول عملیاتی مبدل پیشنهادی
توپولوژی مدار مبدل پیشنهادی در شکل 2 نشان داده شده است. این مدار از منبع ولتاژ دی سی Vin، سوئیچ اصلی S، سه دیود D1، D2 و D3، سه خازن C1، C2 و C3، دو سلف L1 و L2، دیود خروجی DO و خازن خروجی CO تشکیل شده است. برای افزایش بهره ولتاژ استاتیک، مبدل سپیک مبتنی بر دیود-خازن به همراه مبدل بوست پیشنهاد می شود. المان های دیود خازن، استرس موجود بر روی سوئیچ را کاهش می دهند. خازن C2 با ولتاژ خروجی مبدل بوست متداول شارژ می شود. در طول مدت هدایت سوئیچ، ولتاژ حاصل از خازن C2 به سلف L2 اعمال می شود که در مقایسه با سپیک متداول، بهره ولتاژ را افزایش می دهد. برای ساده سازی تحلیل مدار، فرض های زیر در نظر گرفته شدند:
1) سوئیچ نیمه هادی و دیودها ایده آل هستند؛
2) فرکانس سوئیچینگ ثابت است؛
3) تمام خازن ها به گونه ای طراحی شده اند که در فرکانس سوئچینگ دارای ریپل ولتاژ کمی هستند.
