ترجمه مقاله مدل سازی شار نشتی ترانسفورماتورهای چند سیم پیچی برای شبیه سازی های سیستم-سطح – سال 2017
مشخصات مقاله:
عنوان فارسی مقاله:
مدل سازی شار نشتی ترانسفورماتورهای چند سیم پیچی برای شبیه سازی های سیستم-سطح
عنوان انگلیسی مقاله:
Leakage Flux Modeling of Multi-Winding Transformers for System-Level Simulations
کلمات کلیدی مقاله:
مدل سازی شار نشتی، دینامیک، شبیه سازی سیستم-سطح، مدار مغناطیسی، نفوذپذیری-ظرفیت
مناسب برای رشته های دانشگاهی زیر:
مهنسدی برق
مناسب برای گرایش های دانشگاهی زیر:
مهندسی الکترونیک، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی، سیستم های قدرت
وضعیت مقاله انگلیسی و ترجمه:
مقاله انگلیسی را میتوانید به صورت رایگان با فرمت PDF از باکس زیر دانلود نمایید. ترجمه این مقاله با فرمت WORD – DOC آماده خریداری و دانلود آنی میباشد.
فهرست مطالب:
چکیده
مقدمه
مدل سازی
اعتبارسنجی با آزمایش مدار اتصال کوتاه
اعتبارسنجی با سیستم الکترونیک نیرو
نتیجه گیری
قسمتی از مقاله انگلیسی و ترجمه آن:
I. INTRODUCTION
MULTI-WINDING transformers have been applied in power electronic converters to interface systems operating on different voltage levels. In typical multilayer- (Fig. 1(a)), multidisk- (Fig. 1(b)) and mixed- (Fig. 1(c)) structures, non-identical size and position of the individual windings may lead to different leakage flux coupling, which gives rise to unbalanced short-circuit impedances [1]. This unbalance is directly reflected in the behaviour of the converter system. To investigate any potentially negative affect of the unbalance, and subsequently adapt component selection for the rest part of system or explore solutions by means of control algorithm, sufficiently accurate transformer model which can be combined with power electronic circuit for system-level simulation is desired.
مقدمه
ترانسفورماتورهای چند سیم پیچی در مبدل های الکترونیکی نیرو برای مواجهه با سیستم های عملیاتی در سطوح ولتاژی مختلف به کار می روند. در ساختارهای چندلایه‌ای (شکل 1 (الف))، چند دیسکی (شکل 1 (ب)) و ترکیبی (شکل 1 (ج)) معمولی، اندازه های غیر یکسان و موقعیت سیم پیچ های تکی ممکن است به کوپلینگ شار نشتی مختلف منجر شود، که تا آمپدانس های مدار اتصال کوتاه نامتعادل افزایش می یابد. این عدم تعادل در رفتار سیستم مبدل مستقیماً منعکس می شود. برای بررسی اثرات منفی این عدم تعادل، و در نتیجه وفق دادن انتخاب عنصر برای مابقی سیستم و بررسی راه حل ها توسط الگوریتم کنترل، مدل ترانسفورماتور دقیق که می تواند با مدار الکترونیکی نیرو برای شبیه سازی سیستم سطح مطلوب است.
